Физико-технологический институт Российской академии наук (ФТИАН)
Диссертационный совет | Библиотека | Разработки | Издания и публикации | Семинары | Контакты

Физико-технологический институт
Российской академии наук
(ФТИАН)


Следите за обновлениями на сайтах www.ftian.ru, www.icmne.ftian.ru, qi.cs.msu.su.

 Последние новости

04.05.2016
   1 мая 2016 года ушел из жизни академик РАН
   
   Александр Александрович Орликовский
   
   Выдающийся русский ученый, он долгое время возглавлял Физико-технологический институт РАН, а с 2015 года был его научным руководителем. Вся его жизнь была связана со служением науке во благо нашей страны.
   
   Коллектив Института скорбит о безвременно оборвавшейся жизни нашего Друга, Учителя и Наставника. Память о нем навсегда останется в наших сердцах.
   
   

03.03.2016
   Международная конференция "Микро- и наноэлектроника – 2016" (ICMNE-2016), включающая расширенную сессию "Квантовая информатика" (QI-2016), будет проводиться осенью 2016 года. Она продолжает серию Всероссийских конференций МНЕ-1999, МНЕ-2001, КИ-2002 и международных конференций ICMNE-2003, QI-2004, ICMNE-2005, QI-2005, ICMNE-2007, QI-2007, ICMNE-2009, QI-2009, ICMNE-2012, QI-2012, SOI-2012, ICMNE-2014, QI-2014.
   
   Конференция ICMNE проводится один раз в два года и охватывает наиболее важные области физики и технологии приборов микро- и наноэлектроники, а также квантовой информатики. ICMNE-2016 будет сконцентрирована на освещении последних достижений в этой сфере. Кроме того, на конференции будет работать выставка, посвященная технологическому и диагностическому оборудованию для микро- и наноэлектроники.

27.01.2016
   В соответствии с приказом №9 п/о Федерального агенства научных организаций (ФАНО) от 15 января 2016 года временно-исполняющим обязанности директора Физико-технологического института с 20 января 2016 года назначен член-корреспондент РАН, доктор физико-математических наук Владимир Фёдорович Лукичёв.

27.01.2015
   В соответствии с приказом №17 п/о Федерального агенства научных организаций (ФАНО) от 20 января 2015 года временно-исполняющим обязанности директора Физико-технологического института назначен член-корреспондент РАН, доктор физико-математических наук Владимир Фёдорович Лукичёв.
   Академик Александр Александрович Орликовский избран научным руководителем института.

19.02.2014
   Международная конференция "Микро- и наноэлектроника – 2014" (ICMNE-2014), включающая расширенную сессию "Квантовая информатика" (QI-2014), будет проводиться осенью 2014 года. Она продолжает серию Всероссийских конференций "МНЕ-1999", "МНЕ-2001", "КИ-2002" и международных конференций "ICMNE-2003", "QI-2004", "ICMNE-2005", "QI-2005", "ICMNE-2007", "QI-2007", "ICMNE-2009", "QI-2009", "ICMNE-2012", "QI-2012", "SOI-2012".
   
   Конференция ICMNE проводится один раз в два года и охватывает большинство областей микро- и наноэлектронных технологий, а также физики микро- и наноразмерных приборов. ICMNE-2014 будет сконцентрирована на освещении последних достижений в этой сфере. На конференции будет работать выставка, посвященная технологическому и диагностическому оборудованию для микро- и наноэлектронных применений.

06.02.2014
   Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности научного сотрудника по специальности квантовая информатика и вакантной должности научного сотрудника по специальности микро- и наноэлектроника.
   Подробная информация на сайте ФТИАН РАН: www.ftian.ru
   Телефон для справок: (499)129-49-57, (499)129-54-15
   

18.12.2013
   Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности заместителя директора по научной работе Ярославского филиала ФТИАН и вакантной должности научного сотрудника по специальности квантовая информатика.
   
   Подробная информация на сайте ФТИАН РАН: www.ftian.ru
   Телефон для справок: (499)129-49-57, (499)129-54-15


Архив новостей
 Полезные ссылки

25 лет ФТИАН 25 лет ФТИАН
Кафедра квантовой информатики на факультете ВМиК МГУ им. М.В.Ломоносова Кафедра квантовой информатики на факультете ВМиК МГУ им. М.В.Ломоносова
Лаборатория Физики квантовых компьютеров ФТИАН Лаборатория Физики квантовых компьютеров ФТИАН
 
Центр коллективного пользования научным оборудованием «Диагностика микро- и наноструктур» Центр коллективного пользования научным оборудованием «Диагностика микро- и наноструктур»

Все ссылки

 Голосование

Каким броузером вы пользуетесь?
Internet explorer
Firefox
Opera
Maxthon (myIE)
Другим


Всего голосов:1154

Посмотреть результаты




   ФТИАН организован в соответствии с постановлением ЦК КПСС и Совета Министров СССР от 28 апреля 1988 года и постановлением Президиума АН СССР от 12 июля 1988 года на базе Отдела микроэлектроники Института общей физики АН СССР и включен в состав Отделения информатики, вычислительной техники и автоматизации.
   Институт был создан для решения фундаментальных физико-технологических проблем субмикронных структур сверхбольших и сверхскоростных интегральных схем на основе развития субмикронной литографии, математического моделирования технологических процессов, разработки вакуумных и плазменных методов создания тонких пленок и их микроструктурирования, разработки и исследования субмикронных приборов микроэлектроники.
   Со дня организации Института и до февраля 2005 года возглавлял академик РАН Валиев Камиль Ахметович. С 2005 года работал научным руководителем института и зав.лабораторией физики квантовых компьютеров.
Валиев Камиль Ахметович    Валиев К. А. родился 15 января 1931 года, доктор физико-математических наук, профессор, действительный член АН СССР.
   В 50-е годы имя Валиева К. А. связано с решением ряда крупных проблем теоретической физики. Это исследования ядерного магнитного резонанса на ядрах парамагнитных атомов, механизма парамагнитной релаксации в растворах электролитов, фундаментальные задачи поворотного броуновского движения молекул органических жидкостей.
   В 60-х годах академик К.  А. Валиев проявил себя крупным организатором науки и производства в электронной промышленности, стал одним из основателей отечественной микроэлектроники, возглавляя НПО «Микрон» обеспечил разработку и серийное производство большой номенклатуры кремниевых интегральных схем, ставших элементной базой отечественной вычислительной техники третьего поколения - ЕС ЭВМ стран СЭВ, сверхпроизводительных вычислительных комплексов «Эльбрус», системы ЭВМ СМ, а также элементной базы оборонных систем, в том числе, системы ПВО.
    После перехода в Академию наук СССР занимал должность зам. директора по научной работе и возглавлял отдел микроэлектроники в ИОФ АН. За совокупность фундаментальных теоретических работ в области ЭПР К. А. Валиев награжден Международной премией им. Е. К. Завойского. За заслуги в развитии отечественной микроэлектроники Валиеву К. А. в 1974 году присуждена Ленинская премия, он награжден орденом Октябрьской революции и двумя орденами Трудового Красного Знамени. За разработку отечественных сверхскоростных интегральных схем на арсениде галлия К. А. Валиеву присуждена премия Правительства РФ. Он награжден также премией С. А. Лебедева за создание элементной базы отечественной вычислительной техники. В 2006 году был удостоен Государственной премии РФ. Среди учеников К. А. Валиева — академики, члены-корреспонденты РАН, доктора наук,руководители и ведущие специалисты предприятий электронной промышленности, институтов РАН. Он автор более 400 статей и изобретений, 5 монографий.
    Работы К. А. Валиева в области научных основ технологии микро- и наноэлектроники получили широкое международное признание. Он избран членом Академии наук стран третьего мира, Азиатско-тихоокеанской Академии материалов, его монография по физике субмикронной литографии переиздана в США.

    28 июля 2010 года К.А.Валиев умер после тяжелой и продолжительной болезни. Память о нём навсегда сохранится в сердцах всех, кто с ним работал, дружил и встречался в жизни.

Орликовский Александр Александрович     Директором ФТИАН в 2005 году избран Орликовский А. А.
   Орликовский Александр Александрович, 1938 года рождения, выпусник Московского инженерно-физического института (1961), доктор технических наук (1982), профессор (1984), в 2000 г. избран членом-корреспондентом, а в 2006 г. академиком РАН, является автором и соавтором свыше 300 научных трудов, в том числе 2 монографий. В Академии наук работает с 1981 г. с.н.с., зав. лабораторией в ФИАН, затем в ИОФАН и затем с 1989 г. во ФТИАН зам. директора по научной работе (с 2001 г.), директор (с 2005 г.).
   В период с 1963 по 1980 г.г. внес большой вклад в разработку физических и схемотехнических проблем полупроводниковой памяти. Ему принадлежит ряд пионерских работ в этой области.
   Орликовский А.А - один из основоположников научных исследований в области физических основ технологии кремниевой микро- и наноэлектроники. В этой области созданы основы новых технологий металлизации, плазменных процессов травления, осаждения и имплантации, методы мониторинга плазменных процессов, высокочувствительные детекторы момента окончания процессов, томограф низкотемпературной плазмы, оригинальные конструкции широкоапертурных источников плотной плазмы и автоматизированные плазменные установки.
   Последние годы А. А. Орликовский работает также над созданием технологии твердотельных квантовых компьютеров и технологии МДП-транзисторов с длинами канала порядка 10 нм, включая квантовое описание характеристик таких транзисторов.
   Орликовский А.А.является заведующим базовых кафедр в МФТИ и Ярославском госуниверситете (ЯрГУ) им. П.Г. Демидова, научным руководителем ЦКП «Диагностика микро- и наноструктур» (ЯрГУ им. П.Г.Демидова и ФТИАН), главным редактором журнала «Микроэлектроника», председателем оргкомитета регулярной Международной конференции «Микро- и наноэлектроника» (ICMNE), членом бюро ОНИТ РАН, членом двух Научных советов РАН, двух советов по защитам диссертаций, членом Экспертного Совета по проблемам интеграции образования, науки и промышленности при Комитете Государственной Думы РФ по образованию, членом Научного совета по новым материалам при Международной ассоциации академий наук, членом Азиатско-тихоокеанской академии наук о материалах. Является лауреатом премии Правительства РФ 2009 г. в области науки и техники и премии им. С.А. Лебедева РАН. Награжден медалью 850-летия г. Москвы и орденом Дружбы.

 

Лукичев Владимир Федорович    Лукичев Владимир Федорович - заместитель директора ФТИАН по научной работе, доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН.
   Родился 12 ноября 1954 года, в 1978 году окончил с отличием физический факультет Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова.
   В институте работает со дня его основания, с апреля 2005 года – в должности заместителя директора по научной работе. Автор более 70 научных публикаций, ответственный секретарь журнала «Микроэлектроника».

 

Кальнов Владимир Александрович    Кальнов Владимир Александрович, ученый секретарь института, родился в г. Москве 13 мая 1944 года. В 1969 году окончил Московский энергетический институт по специальности «Полупроводниковые приборы». С 1969 года по 1991 работал в НИИ «Сапфир». В 1989 году защитил кандидатскую диссертацию по проблеме ионно-лучевого травления в промышленной технологии создания функциональных элементов СБИС ЗУ ЦМД.
   С 1991 года и по настоящее время Кальнов В. А. работает в Физико-технологическом институте РАН на должности старшего научного сотрудника, в 1998 году избран ученым секретарем ФТИАН.
   Научные интересы Кальнова В. А. связаны с исследованиями в технологии микроэлектроники ВУФ излучения, в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем с полной диэлектрической изоляцией на основе кремниевых мембран, в прецизионной технологии осаждения тонких пленок для рентгеновских зеркал, в технологии микромеханики, в частности, для создания подвижных дифракционных решеток для малогабаритных акселерометров и спектрометров.
   Является автором более 80 научных работ и ряда изобретений. Является ученым секретарем секции «Информационные технологии и вычислительные системы» по присуждению премий Правительства Российской Федерации в области науки и техники.

 

Скалкин Сергей Иванович    Скалкин Сергей Иванович, заместитель директора по общим вопросам, родился 17 марта 1951 года, в 1980 году окончил ВТУЗ при Московском автомобильном заводе им. И. А. Лихачева по специальности «Двигатели внутреннего сгорания». В Физико-технологическом институте работает с 2004 г., представляет интересы института в органах государственной власти и коммерческих структурах по вопросам финансово-хозяйственной деятельности и управления имуществом. Курирует деятельность отделов: материально-технического снабжения, эксплуатационно-технического, производственно-транспортного.




Институт ведет исследования как фундаментального, так и прикладного характера.

Среди фундаментальных проблем:

  • физика и элементная база квантовых компьютеров;
  • физика нанотранзисторов и наноструктур с низкой размерностью;
  • рентгеновская дифрактометрия для анализа структурного совершенства многослойных структур (сверхрешетки, гетероструктуры с квантовыми ямами и точками и др.) с монослойным разрешением;
  • исследования наномагнетиков методом гамма-резонансной спектроскопии;
  • исследование фазовых превращений в тонких и сверхтонких пленках и в многослойных структурах;
  • научные основы плазменных технологий в микро- и наноэлектронике;
  • модели и методы моделирования технологических процессов и приборов микро- и наноэлектроники.
Среди прикладных задач:
  • разработка новых типов широкоапертурных источников плотной плазмы и источников ионов;
  • разработка оборудования для плазмо-стимулированного осаждения тонких пленок, плазмохимического травления, плазменной очистки поверхности, плазмо-иммерсионной ионной имплантации, ионно-стимулированных процессов технологии микроэлектроники и др;
  • разработка плазменных технологий нанесения, травления, очистки поверхности, ионной имплантации и др.;
  • разработка методов и средств мониторинга плазменных технологических процессов и детекторов момента их окончания;
  • разработка технологии металлизации контактов микро- и наноструктур, включая силидизацию и нанесение барьерных слоев;
  • разработка алгоритмов и программ моделирования технологических процессов и приборов микро- и наноэлектроники;
  • разработка конструкций и технологии элементов микромеханики;
   В составе Института работают один академик, два члена-корреспондента РАН, 12 докторов и 22 кандидатов наук. Общая численность сотрудников института 192 чел.

Структура института

В составе института работают следующие подразделения:

  • Ярославский филиал ФТИАН;
  • Лаборатория физики квантовых компьютеров (д.ф.-м.наук Ю. И. Богданов);
  • Лаборатория микроструктурирования и субмикронных приборов (академик А. А. Орликовский);
  • Лаборатория ионно-лучевых технологий (д.т.н. Ю. П. Маишев);
  • Лаборатория физики поверхности микроэлектронных структур (д.ф.-м.наук М. А. Чуев);
  • Лаборатория математического моделирования физико-технологических процессов микроэлектроники (д.ф.-м.н. Т. М. Махвиладзе);
  • Лаборатория архитектуры высокопроизводительных вычислительных систем (зав. Цуканов А.В., к.ф.-м.н., науч. рук. - Митропольский Ю.И., д.т.н., член-корр. РАН)
  • Лаборатория технологии микро- и наносистем (зав. Лукичев В.Ф., д.ф.-м.н., член-корр. РАН)
  • Совместная лаборатория рентгеноструктурных исследований с Институтом Кристаллографии РАН им. А. В. Шубникова РАН;
При институте работают:
  • базовая кафедра физических и технологических проблем микроэлектроники Московского физико-технического института, зав.кафедрой академик А. А. Орликовский;
  • базовая кафедра квантовой информатики и вычислительных систем Московского физико-технического института, зав. кафедрой Митропольский Ю.И., д.т.н., член-корр. РАН
  • базовая кафедра нанотехнологий в электронике и Научно-образовательный центр (НОЦ) «Демидовский центр нанотехнологий и инноваций» Ярославского Госуниверситета им. П.Г. Демидова при Ярославском филиале ФТИАН;
  • НОЦ ФТИАН-МИФИ «Квантовые информационные технологии и нанотехнологии»;
  • аспирантура;
  • специализированный Ученый Совет по защите докторских и кандидатских диссертаций по специальности 05.27.01 - твердотельная электроника и микроэлектроника (физико-математические науки);
  • Центр коллективного пользования научным оборудованием «Диагностика микро- и наноструктур» ЯфФТИАН- ЯрГУ.
                              В рамках программы «Интеграция» ФТИАН сотрудничает с Московским инженерно-физическим институтом, Московским институтом электронной техники (ТУ), Московским государственным университетом им. М. В. Ломоносова.

Международная конференция «Микро- и наноэлектроника»
Международная конференция
«Микро- и наноэлектроника»


Симпозиум «Квантовая информатика»
Симпозиум «Квантовая информатика»


 28.06.2016 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

C.B. Михайлович
(ИСВЧПЭ РАН)

Частотные и шумовые параметры наногетероструктурных полевых транзисторов на основе AlGaN/GaN с разной толщиной барьерного слоя
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук )


И. Н. Мищенко
(ФТИАН РАН)

Развитие многоуровневых моделей магнитной динамики однодоменных частиц для описания кривых намагничивания и мёссбауэровских спектров магнитных наноматериалов
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)

 21.06.2016 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

Ф.Р. Фазылов
(ОАО «Ангстрем-Т»)

Вклад энергии нулевых плазменных колебаний в поверхностные характеристики твёрдых тел

 14.06.2016 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

В. Г. Чекмачев и А. В. Цуканов
(ФТИАН РАН)

Сенсор электрического поля на двойной квантовой точке в микрорезонаторе

 07.06.2016 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

А. В. Цуканов
(ФТИАН РАН)

Интегрированные алмазные сенсоры с оптическим управлением
(Обзор)

 24.05.2016 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

И. Н. Трунькин
(НИЦ КИ)

Электронно-микроскопические методы оценки параметров микроструктуры в системах A3B5 на атомном уровне.
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)

 17.05.2016 - 15:00Диссертационный совет
Защита диссертаций
(конференц-зал ФТИАН)

А.Э. Ячменев
(ИСВЧПЭ РАН)

Физико-технологические основы формирования систем проводящих нанонитей из атомов олова
(Защита диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)

 21.04.2016 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

Ю.И. Богданов, Н. А. Богданова, К.Г. Катамадзе, Г. В. Авосопянц, В. Ф. Лукичев
(ФТИАН, МИЭТ, МГУ)

Исследование статистики фотонов с использованием компаунд-распределения Пуассона и квадратурных измерений

 19.04.2016 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

Цуканов А.В. и Катеев И.Ю.
(ФТИАН РАН)

Экспериментальная алмазная фотоника: современное состояние и перспективы развития
(обзор результатов за 2012 – 2015 гг)

 12.04.2016 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

Барабанова Н. И.
(ЯФ ФТИАН РАН)

Микромагнитное моделирование одно- и многослойных структур и перспективных элементов спинтроники на их основе
(По материалам диссертации на соискание степени кандидата физико-математических наук)

 05.04.2016 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

А.В. Цуканов
(ФТИАН РАН)

Оптические и электрические свойства NV-центров в алмазе
(обзор)

 31.03.2016 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

Д. В. Фастовец
(ФТИАН, МИЭТ)

Разложение Шмидта и анализ статистических корреляций

 24.03.2016 - 15:00Квантовые компьютеры
Научный семинар
«Квантовые компьютеры»
(конференц-зал ФТИАН)

М. Х. Лемус, Ю. И. Ожигов, Н. А. Сковорода
(МГУ, ФТИАН)

Компьютерное моделирование квантового гейта CSign на нелинейных фазовых сдвигах

 15.03.2016 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

Н. В. Колотинский
(МГУ им. М. В. Ломоносова)

Сверхпроводящие квантовые решетки как широкополосные активные устройства
(По материалам диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук)

 29.12.2015 - 15:00Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники
Научный семинар
«Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники»
(конференц-зал ФТИАН)

А. А. Мельников
(ФТИАН РАН)

Квантовые блуждания двух фермионов


Архив семинаров
Главная страница
Написать письмо
Мобильная версия Мобильная версия  

© 2001-2016 Физико-технологический институт Российской академии наук (ФТИАН)
www.ftian.ru

  Яндекс цитирования